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| 数据手册 | IXTY1N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 15 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,968
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 70
- 参考单价：
- ￥9.7924
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 70+ | ￥9.7924 | ￥685.4680 |
| 140+ | ￥9.6073 | ￥1,345.0220 |
| 280+ | ￥7.8092 | ￥2,186.5760 |
| 560+ | ￥7.5007 | ￥4,200.3920 |
| 1,050+ | ￥6.1962 | ￥6,506.0100 |
| 2,520+ | ￥5.2091 | ￥13,126.9320 |
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