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| 数据手册 | IXTH36P10 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,585
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥26.0277
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥26.0277 | ￥780.8310 |
| 60+ | ￥25.5253 | ￥1,531.5180 |
| 120+ | ￥24.5382 | ￥2,944.5840 |
| 270+ | ￥20.9421 | ￥5,654.3670 |
| 510+ | ￥19.8932 | ￥10,145.5320 |
| 1,020+ | ￥16.7907 | ￥17,126.5140 |
| 2,520+ | ￥14.3756 | ￥36,226.5120 |
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