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| 数据手册 | IXTH180N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.4 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,384
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥30.9812
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥30.9812 | ￥929.4360 |
| 60+ | ￥30.3642 | ￥1,821.8520 |
| 120+ | ￥29.1832 | ￥3,501.9840 |
| 270+ | ￥24.9084 | ￥6,725.2680 |
| 510+ | ￥23.6656 | ￥12,069.4560 |
| 1,020+ | ￥19.9549 | ￥20,353.9980 |
| 2,520+ | ￥17.0992 | ￥43,089.9840 |
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