DMC1229UFDB-13
MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
- 制造商：
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | DMC1229UFDB-13 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | DFN2020-B-6 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Id-连续漏极电流 | 5.6 A, 3.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 17 mOhms, 37 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 400 mV, 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 19.6 nC, 17.9 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,311
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10000
- 参考单价：
- ￥0.9343
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10,000+ | ￥0.9343 | ￥9,343.0000 |
申请更低价? 请联系客服
