文档与媒体
| 数据手册 | TPH6R30ANL,L1Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOP-Advance-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | U-MOSVIII-H |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 54 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 66 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 5.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 55 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,552
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 5000
- 参考单价：
- ￥2.4327
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5,000+ | ￥2.4327 | ￥12,163.5000 |
| 10,000+ | ￥2.4062 | ￥24,062.0000 |
| 25,000+ | ￥2.3269 | ￥58,172.5000 |
申请更低价? 请联系客服
