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    IPZ65R095C7XKSA1

    MOSFET HIGH POWER_NEW

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPZ65R095C7XKSA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-4
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 128 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 24 A
    Rds On-漏源导通电阻 84 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 45 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,751

    交货地:
    国内
    最小包装:
    240
    参考单价:
    ¥26.3979
    数量 单价(含税) 总计
    240+ ¥26.3979 ¥6,335.4960
    480+ ¥24.8467 ¥11,926.4160
    720+ ¥23.5422 ¥16,950.3840
    1,200+ ¥22.8635 ¥27,436.2000
    2,640+ ¥22.1848 ¥58,567.8720

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