文档与媒体
| 数据手册 | IXTH1N200P3HV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 23.5 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,505
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥39.2223
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥39.2223 | ￥1,176.6690 |
| 60+ | ￥38.4202 | ￥2,305.2120 |
| 120+ | ￥36.9924 | ￥4,439.0880 |
| 270+ | ￥31.5365 | ￥8,514.8550 |
| 510+ | ￥29.9235 | ￥15,260.9850 |
| 1,020+ | ￥25.2169 | ￥25,721.2380 |
| 2,520+ | ￥21.6207 | ￥54,484.1640 |
申请更低价? 请联系客服
