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    DMN31D6UT-7

    MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V

    制造商:
    Diodes Incorporated
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 DMN31D6UT-7 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-523-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 320 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 12 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 350 mA
    Rds On-漏源导通电阻 1.1 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 400 mV
    Qg-栅极电荷 350 pC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,589

    交货地:
    国内
    最小包装:
    6000
    参考单价:
    ¥0.2785
    数量 单价(含税) 总计
    6,000+ ¥0.2785 ¥1,671.0000
    9,000+ ¥0.2415 ¥2,173.5000
    24,000+ ¥0.2230 ¥5,352.0000
    45,000+ ¥0.2107 ¥9,481.5000

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