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| 数据手册 | IXTT500N04T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 1 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 500 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.6 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 405 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,766
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥62.7028
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥62.7028 | ￥1,881.0840 |
| 60+ | ￥58.2429 | ￥3,494.5740 |
| 120+ | ￥56.9473 | ￥6,833.6760 |
| 270+ | ￥51.9850 | ￥14,035.9500 |
| 510+ | ￥47.4017 | ￥24,174.8670 |
| 1,020+ | ￥45.2334 | ￥46,138.0680 |
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