文档与媒体
| 数据手册 | IXFR80N60P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 48 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 76 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 190 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,432
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥82.7811
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥82.7811 | ￥2,483.4330 |
| 60+ | ￥76.1530 | ￥4,569.1800 |
| 120+ | ￥74.2932 | ￥8,915.1840 |
| 270+ | ￥68.0970 | ￥18,386.1900 |
| 510+ | ￥61.7773 | ￥31,506.4230 |
| 1,020+ | ￥56.4449 | ￥57,573.7980 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
