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    IXFN240N15T2

    MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFN240N15T2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Chassis Mount
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 SOT-227-4
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    Pd-功率耗散 830 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 150 V
    Id-连续漏极电流 240 A
    Rds On-漏源导通电阻 5.2 mOhms
    Qg-栅极电荷 460 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,087

    交货地:
    国内
    最小包装:
    10
    参考单价:
    ¥171.9435
    数量 单价(含税) 总计
    10+ ¥171.9435 ¥1,719.4350
    30+ ¥158.0086 ¥4,740.2580
    50+ ¥151.3099 ¥7,565.4950
    100+ ¥146.8501 ¥14,685.0100
    200+ ¥134.7661 ¥26,953.2200
    500+ ¥128.2613 ¥64,130.6500

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