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    TPN6R003NL,LQ

    MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TSON-Advance-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 32 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 56 A
    Rds On-漏源导通电阻 6.8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.3 V
    Qg-栅极电荷 17 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,593

    交货地:
    国内
    最小包装:
    3000
    参考单价:
    ¥2.0801
    数量 单价(含税) 总计
    3,000+ ¥2.0801 ¥6,240.3000
    9,000+ ¥1.8950 ¥17,055.0000
    24,000+ ¥1.8245 ¥43,788.0000

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