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| 数据手册 | STP18N60M6 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.25 V |
| Qg-栅极电荷 | 16.8 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,382
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1000
- 参考单价：
- ￥5.6762
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1,000+ | ￥5.6762 | ￥5,676.2000 |
| 2,000+ | ￥5.5088 | ￥11,017.6000 |
| 5,000+ | ￥5.1914 | ￥25,957.0000 |
| 10,000+ | ￥5.0681 | ￥50,681.0000 |
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