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    STFH10N60M6

    MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STFH10N60M6 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    配置 Single
    Pd-功率耗散 20 W
    Vgs - 栅极-源极电压 25 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 6.4 A
    Rds On-漏源导通电阻 600 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.25 V
    Qg-栅极电荷 8.8 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,104

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1840
    参考单价:
    ¥4.3277
    数量 单价(含税) 总计
    1,840+ ¥4.3277 ¥7,962.9680
    2,760+ ¥4.2043 ¥11,603.8680
    5,520+ ¥3.9575 ¥21,845.4000
    10,120+ ¥3.8693 ¥39,157.3160

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