ZXMS6005DN8-13
MOSFET Low Side IntelliFET
- 制造商：
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | ZXMS6005DN8-13 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 1.67 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 5 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 700 mV |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,054
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 2500
- 参考单价：
- ￥3.6226
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 2,500+ | ￥3.6226 | ￥9,056.5000 |
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