DMC67D8UFDBQ-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-6 T&R 10K
- 制造商：
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | DMC67D8UFDBQ-13 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | U-DFN2020-6 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 0.58 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V, 12 V |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V, 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 0.39 A, 2.9 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4 Ohms, 72 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V, - 1.25 V |
| Qg-栅极电荷 | 0.4 pC, 7.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,322
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10000
- 参考单价：
- ￥0.6628
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10,000+ | ￥0.6628 | ￥6,628.0000 |
| 20,000+ | ￥0.6073 | ￥12,146.0000 |
| 50,000+ | ￥0.5826 | ￥29,130.0000 |
| 100,000+ | ￥0.5579 | ￥55,790.0000 |
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