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| 数据手册 | IPW90R120C3XKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 417 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 270 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,362
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 240
- 参考单价：
- ￥59.9793
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 240+ | ￥59.9793 | ￥14,395.0320 |
| 480+ | ￥58.1195 | ￥27,897.3600 |
| 720+ | ￥54.3383 | ￥39,123.5760 |
| 1,200+ | ￥49.8784 | ￥59,854.0800 |
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