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| 数据手册 | STU6N60DM2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | IPAK-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.25 V |
| Qg-栅极电荷 | 6.2 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,552
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 3000
- 参考单价：
- ￥2.9174
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 3,000+ | ￥2.9174 | ￥8,752.2000 |
| 6,000+ | ￥2.6530 | ￥15,918.0000 |
| 9,000+ | ￥2.5384 | ￥22,845.6000 |
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