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数据手册 | IXTA3N100D2-TRL 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-263AA_3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1000 V |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | - 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 37.5 nC |
通道模式 | Depletion |
库存:55,668
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 800
- 参考单价:
- ¥14.2522
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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800+ | ¥14.2522 | ¥11,401.7600 |
2,400+ | ¥12.2074 | ¥29,297.7600 |
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