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数据手册 | IXFT80N65X2HV-TRL 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装 / 箱体 | TO-268HV-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 890 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
Qg-栅极电荷 | 140 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,131
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 400
- 参考单价:
- ¥49.4465
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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400+ | ¥49.4465 | ¥19,778.6000 |
800+ | ¥47.1549 | ¥37,723.9200 |
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