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STL17N60M6

MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

制造商:
STMicroelectronics
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 STL17N60M6 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
封装 Reel
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 PowerFLAT-8
通道数量 1 Channel
技术 SI
商标名 MDmesh
配置 Single
Pd-功率耗散 90 W
Vgs - 栅极-源极电压 10 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V
Id-连续漏极电流 10 A
Rds On-漏源导通电阻 350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 3.25 V
Qg-栅极电荷 16.7 nC
通道模式 Enhancement

库存:57,975

交货地:
国内
最小包装:
3000
参考单价:
¥6.7515
数量 单价(含税) 总计
3,000+ ¥6.7515 ¥20,254.5000
6,000+ ¥6.3813 ¥38,287.8000
9,000+ ¥6.1962 ¥55,765.8000

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