图像仅供参考 请参阅产品规格

    IXFH12N100

    MOSFET 1KV 12A

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFH12N100 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HyperFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 300 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1 kV
    Id-连续漏极电流 12 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.05 Ohms
    通道模式 Enhancement

    库存:50,154

    交货地:
    国内
    最小包装:
    60
    参考单价:
    ¥81.4766
    数量 单价(含税) 总计
    60+ ¥81.4766 ¥4,888.5960
    120+ ¥79.4935 ¥9,539.2200
    270+ ¥72.8653 ¥19,673.6310
    510+ ¥66.1138 ¥33,718.0380
    1,020+ ¥60.3495 ¥61,556.4900

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯