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| 数据手册 | IXFN180N20 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 700 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,642
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥234.4700
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥234.4700 | ￥2,344.7000 |
| 30+ | ￥216.8068 | ￥6,504.2040 |
| 50+ | ￥210.4254 | ￥10,521.2700 |
| 100+ | ￥203.2332 | ￥20,323.3200 |
| 200+ | ￥189.7302 | ￥37,946.0400 |
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