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| 数据手册 | IXFN26N90 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,110
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 20
- 参考单价：
- ￥183.8424
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 20+ | ￥183.8424 | ￥3,676.8480 |
| 30+ | ￥179.8761 | ￥5,396.2830 |
| 50+ | ￥172.1903 | ￥8,609.5150 |
| 100+ | ￥167.1751 | ￥16,717.5100 |
| 200+ | ￥153.4165 | ￥30,683.3000 |
| 500+ | ￥146.0480 | ￥73,024.0000 |
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