文档与媒体
| 数据手册 | IXTH75N10 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,828
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥142.2051
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥142.2051 | ￥4,266.1530 |
| 60+ | ￥136.1322 | ￥8,167.9320 |
| 120+ | ￥132.1659 | ￥15,859.9080 |
| 270+ | ￥121.2630 | ￥32,741.0100 |
| 510+ | ￥115.4370 | ￥58,872.8700 |
申请更低价? 请联系客服
