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| 数据手册 | IXFN200N07 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
| Id-连续漏极电流 | 200 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,827
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥150.1994
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥150.1994 | ￥1,501.9940 |
| 30+ | ￥137.9920 | ￥4,139.7600 |
| 50+ | ￥132.1042 | ￥6,605.2100 |
| 100+ | ￥128.2613 | ￥12,826.1300 |
| 200+ | ￥117.6669 | ￥23,533.3800 |
| 500+ | ￥112.0259 | ￥56,012.9500 |
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