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数据手册 | IXFN280N085 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Chassis Mount |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HyperFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 700 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 85 V |
Id-连续漏极电流 | 280 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:52,577
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 100
- 参考单价:
- ¥190.9641
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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100+ | ¥190.9641 | ¥19,096.4100 |
200+ | ¥178.2632 | ¥35,652.6400 |
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