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数据手册 | IPI50R399CP 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-262-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | CoolMOS |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 83 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 9 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 399 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:56,701
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 500
- 参考单价:
- ¥6.3196
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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500+ | ¥6.3196 | ¥3,159.8000 |
1,000+ | ¥6.0288 | ¥6,028.8000 |
2,500+ | ¥5.8525 | ¥14,631.2500 |
10,000+ | ¥5.6674 | ¥56,674.0000 |
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