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| 数据手册 | IXFN34N80 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 34 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,508
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥190.5322
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥190.5322 | ￥1,905.3220 |
| 30+ | ￥175.1077 | ￥5,253.2310 |
| 50+ | ￥167.6070 | ￥8,380.3500 |
| 100+ | ￥162.7153 | ￥16,271.5300 |
| 200+ | ￥149.3268 | ￥29,865.3600 |
| 500+ | ￥142.1434 | ￥71,071.7000 |
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