文档与媒体
| 数据手册 | IXFH17N80Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,172
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥87.3644
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥87.3644 | ￥2,620.9320 |
| 60+ | ￥80.4278 | ￥4,825.6680 |
| 120+ | ￥78.4446 | ￥9,413.3520 |
| 270+ | ￥71.8782 | ￥19,407.1140 |
| 510+ | ￥65.2500 | ￥33,277.5000 |
| 1,020+ | ￥59.5474 | ￥60,738.3480 |
申请更低价? 请联系客服
