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| 数据手册 | FQB34P10TM-F085P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | D2PAK-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 155 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 33.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 85 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,171
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 800
- 参考单价：
- ￥10.9646
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 800+ | ￥10.9646 | ￥8,771.6800 |
| 2,400+ | ￥10.6561 | ￥25,574.6400 |
| 4,800+ | ￥10.3476 | ￥49,668.4800 |
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