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| 数据手册 | IXFX34N80 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 34 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,980
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥110.6069
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥110.6069 | ￥3,318.2070 |
| 60+ | ￥106.0148 | ￥6,360.8880 |
| 120+ | ￥103.9082 | ￥12,468.9840 |
| 270+ | ￥96.4780 | ￥26,049.0600 |
| 510+ | ￥89.3475 | ￥45,567.2250 |
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