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| 数据手册 | IXFN27N80 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,553
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 20
- 参考单价：
- ￥177.5228
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 20+ | ￥177.5228 | ￥3,550.4560 |
| 30+ | ￥169.5285 | ￥5,085.8550 |
| 50+ | ￥165.5622 | ￥8,278.1100 |
| 100+ | ￥149.6353 | ￥14,963.5300 |
| 200+ | ￥139.6666 | ￥27,933.3200 |
| 500+ | ￥137.6218 | ￥68,810.9000 |
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