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数据手册 | IXTP2N100 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 100 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 7 Ohms |
通道模式 | Enhancement |
库存:54,453
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 50
- 参考单价:
- ¥20.9421
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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50+ | ¥20.9421 | ¥1,047.1050 |
100+ | ¥20.1400 | ¥2,014.0000 |
250+ | ¥17.2226 | ¥4,305.6500 |
500+ | ¥16.3588 | ¥8,179.4000 |
1,000+ | ¥13.7587 | ¥13,758.7000 |
2,500+ | ¥11.8372 | ¥29,593.0000 |
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