文档与媒体
| 数据手册 | IXFH80N10 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 12.5 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,483
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥72.4952
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥72.4952 | ￥2,174.8560 |
| 60+ | ￥66.6691 | ￥4,000.1460 |
| 120+ | ￥65.0649 | ￥7,807.7880 |
| 270+ | ￥59.6708 | ￥16,111.1160 |
| 510+ | ￥54.1532 | ￥27,618.1320 |
| 1,020+ | ￥49.4465 | ￥50,435.4300 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
