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| 数据手册 | IXTT60N10 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,800
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥75.0953
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥75.0953 | ￥2,252.8590 |
| 60+ | ￥69.1458 | ￥4,148.7480 |
| 120+ | ￥67.4183 | ￥8,090.1960 |
| 270+ | ￥61.8390 | ￥16,696.5300 |
| 510+ | ￥56.0747 | ￥28,598.0970 |
| 1,020+ | ￥51.2446 | ￥52,269.4920 |
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