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数据手册 | IXTH14N80 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Id-连续漏极电流 | 14 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,487
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 30
- 参考单价:
- ¥80.1193
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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30+ | ¥80.1193 | ¥2,403.5790 |
60+ | ¥73.7379 | ¥4,424.2740 |
120+ | ¥71.9399 | ¥8,632.7880 |
270+ | ¥65.9287 | ¥17,800.7490 |
510+ | ¥59.8559 | ¥30,526.5090 |
1,020+ | ¥54.6468 | ¥55,739.7360 |
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