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数据手册 | IXFT30N40Q 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-268-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HyperFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:51,052
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 30
- 参考单价:
- ¥82.3492
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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30+ | ¥82.3492 | ¥2,470.4760 |
60+ | ¥75.7828 | ¥4,546.9680 |
120+ | ¥73.9230 | ¥8,870.7600 |
270+ | ¥67.7885 | ¥18,302.8950 |
510+ | ¥61.5305 | ¥31,380.5550 |
1,020+ | ¥56.1364 | ¥57,259.1280 |
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