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| 数据手册 | IXFH50N20 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,050
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 90
- 参考单价：
- ￥60.9753
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 90+ | ￥60.9753 | ￥5,487.7770 |
| 120+ | ￥59.4857 | ￥7,138.2840 |
| 270+ | ￥54.5234 | ￥14,721.3180 |
| 510+ | ￥49.5082 | ￥25,249.1820 |
| 1,020+ | ￥45.1718 | ￥46,075.2360 |
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