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| 数据手册 | FDB3652 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 61 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,166
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 800
- 参考单价：
- ￥5.4118
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 800+ | ￥5.4118 | ￥4,329.4400 |
| 2,400+ | ￥5.3325 | ￥12,798.0000 |
| 4,800+ | ￥4.9447 | ￥23,734.5600 |
| 9,600+ | ￥4.8301 | ￥46,368.9600 |
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