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| 数据手册 | IXFT15N100Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 360 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,889
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥122.8055
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥122.8055 | ￥3,684.1650 |
| 60+ | ￥113.0219 | ￥6,781.3140 |
| 120+ | ￥110.2279 | ￥13,227.3480 |
| 270+ | ￥101.0613 | ￥27,286.5510 |
| 510+ | ￥91.7009 | ￥46,767.4590 |
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