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| 数据手册 | IXFN106N20 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 106 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,806
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥144.4350
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥144.4350 | ￥1,444.3500 |
| 30+ | ￥132.7212 | ￥3,981.6360 |
| 50+ | ￥127.0891 | ￥6,354.4550 |
| 100+ | ￥123.3696 | ￥12,336.9600 |
| 200+ | ￥113.2070 | ￥22,641.4000 |
| 500+ | ￥107.7512 | ￥53,875.6000 |
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