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| 数据手册 | IXTH1N100 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,184
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥27.1383
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥27.1383 | ￥814.1490 |
| 60+ | ￥26.5830 | ￥1,594.9800 |
| 120+ | ￥25.5870 | ￥3,070.4400 |
| 270+ | ￥21.8147 | ￥5,889.9690 |
| 510+ | ￥20.6953 | ￥10,554.6030 |
| 1,020+ | ￥17.4693 | ￥17,818.6860 |
| 2,520+ | ￥14.9926 | ￥37,781.3520 |
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