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| 数据手册 | IXTA2N100 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,356
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥22.7401
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥22.7401 | ￥1,137.0050 |
| 100+ | ￥21.8763 | ￥2,187.6300 |
| 250+ | ￥18.6504 | ￥4,662.6000 |
| 500+ | ￥17.7250 | ￥8,862.5000 |
| 1,000+ | ￥14.9309 | ￥14,930.9000 |
| 2,500+ | ￥12.8244 | ￥32,061.0000 |
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