文档与媒体
数据手册 | IXTH48N20 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 275 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Id-连续漏极电流 | 48 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:54,210
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 30
- 参考单价:
- ¥39.0372
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
30+ | ¥39.0372 | ¥1,171.1160 |
60+ | ¥38.2351 | ¥2,294.1060 |
120+ | ¥36.8073 | ¥4,416.8760 |
270+ | ¥31.4131 | ¥8,481.5370 |
510+ | ¥29.8001 | ¥15,198.0510 |
1,020+ | ¥25.1552 | ¥25,658.3040 |
2,520+ | ¥21.5590 | ¥54,328.6800 |
申请更低价? 请联系客服