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| 数据手册 | IXTA3N110 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,982
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥23.5422
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥23.5422 | ￥1,177.1100 |
| 100+ | ￥22.6167 | ￥2,261.6700 |
| 250+ | ￥19.3291 | ￥4,832.2750 |
| 500+ | ￥18.3419 | ￥9,170.9500 |
| 1,000+ | ￥15.4950 | ￥15,495.0000 |
| 2,500+ | ￥13.2563 | ￥33,140.7500 |
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