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数据手册 | IXTH60N15 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 275 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:54,454
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 30
- 参考单价:
- ¥40.8970
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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30+ | ¥40.8970 | ¥1,226.9100 |
60+ | ¥40.0861 | ¥2,405.1660 |
120+ | ¥38.5436 | ¥4,625.2320 |
270+ | ¥32.9027 | ¥8,883.7290 |
510+ | ¥31.2280 | ¥15,926.2800 |
1,020+ | ¥26.3362 | ¥26,862.9240 |
2,520+ | ¥22.5550 | ¥56,838.6000 |
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