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| 数据手册 | IXFH4N100Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,431
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥43.6822
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥43.6822 | ￥1,310.4660 |
| 60+ | ￥42.8184 | ￥2,569.1040 |
| 120+ | ￥41.2055 | ￥4,944.6600 |
| 270+ | ￥35.1943 | ￥9,502.4610 |
| 510+ | ￥33.3345 | ￥17,000.5950 |
| 1,020+ | ￥28.1343 | ￥28,696.9860 |
| 2,520+ | ￥24.1063 | ￥60,747.8760 |
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