文档与媒体
| 数据手册 | IXFH10N100Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,448
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥83.9622
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥83.9622 | ￥2,518.8660 |
| 60+ | ￥77.2635 | ￥4,635.8100 |
| 120+ | ￥75.3421 | ￥9,041.0520 |
| 270+ | ￥69.0841 | ￥18,652.7070 |
| 510+ | ￥62.7028 | ￥31,978.4280 |
| 1,020+ | ￥57.2557 | ￥58,400.8140 |
申请更低价? 请联系客服
