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| 数据手册 | IXTK110N30 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 730 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,360
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 25
- 参考单价：
- ￥118.0988
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 25+ | ￥118.0988 | ￥2,952.4700 |
| 50+ | ￥108.6854 | ￥5,434.2700 |
| 100+ | ￥106.0148 | ￥10,601.4800 |
| 250+ | ￥97.1567 | ￥24,289.1750 |
| 500+ | ￥88.1753 | ￥44,087.6500 |
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